IRIS Institutional Research Information System - AIR Archivio Istituzionale della Ricerca
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EnglishThe electrical properties of cluster-assembled nanostructured palladium oxide (ns-PdOx) thin films grown by supersonic cluster beam deposition have been characterized by means of a customized ac current-sensing atomic force microscope. Scanning impedance microscopy is shown to provide a deep picture of the electrical properties of thin nanostructured interfaces even in the case of very soft and poorly adherent films. In particular, the dielectric constant of ns-PdOx can be quantitatively determined as well as its I-V characteristics. Moreover, the measurement of the tip-sample parasitic capacitance can be exploited to probe the overall mesoscale conductive character of thin films and to give a complementary and more precise view of the oxidation of ns-PdOx obtained by x-ray photoemission spectroscopy.
| Titolo: | Nanoscale electrical properties of cluster-assembled palladium oxide thin films |
| Autori: | |
| Parole Chiave: | Atomic force microscopy ; nanostructured materials ; palladium compounds ; permittivity ; thin films ; X-ray photoelectron spectra |
| Settore Scientifico Disciplinare: | Settore FIS/01 - Fisica Sperimentale Settore FIS/03 - Fisica della Materia |
| Data di pubblicazione: | 2009 |
| Rivista: | |
| Tipologia: | Article (author) |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1103/PhysRevB.79.115422 |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su periodico |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/2434/66458
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