Design of a charge sensitive amplifier for silicon particle detector in BCD 180 nm process

Yadav, I.; Joshi, A.; Ruscino, E.; Liberali, V.; Andreazza, A.; Shrimali, H.

doi:10.1109/VLSID.2019.00126

IRIS Institutional Research Information System - AIR Archivio Istituzionale della Ricerca

IRIS è il sistema di gestione integrata dei dati della ricerca (persone, progetti, pubblicazioni, attività) adottato dall'Università degli Studi di Milano.

AIR nasce in UNIMI nel 2006 con lo scopo di raccogliere, documentare e conservare le informazioni sulla produzione scientifica dell'Università degli Studi di Milano e costituisce di fatto l'Anagrafe della ricerca dell'Ateneo.

This paper presents the design of a charge sensitive amplifier (CSA) for an analog processing circuit of 47×6 silicon pixel detector array. The design has been implemented in BCD 180 nm technology. A diode with an area of 250 × 50 µm2 is used to realize a unit sensor pixel. A 100 % fill factor is achieved by confining the analog circuit in the diode. Low power and area efficient single ended folded cascode amplifier is employed as a basic building block of the CSA. Further, an on-chip corner control circuit is proposed to make the design insensitive to process variations and to reduce power dissipation in the CSA.

Design of a charge sensitive amplifier for silicon particle detector in BCD 180 nm process / I. Yadav, A. Joshi, E. Ruscino, V. Liberali, A. Andreazza, H. Shrimali - In: 2019 32nd International Conference on VLSI Design and 2019 18th International Conference on Embedded Systems (VLSID)[s.l] : IEEE, 2019 Jan. - ISBN 9781728104096. - pp. 541-542 (( Intervento presentato al 32. convegno International Conference on VLSI Design tenutosi a Delhi nel 2019.

Titolo:	Design of a charge sensitive amplifier for silicon particle detector in BCD 180 nm process
Autori:	Yadav I. Joshi A. Ruscino E. LIBERALI, VALENTINO ANDREAZZA, ATTILIO SHRIMALI, HITESHBHI KANTILAL mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Parole Chiave:	Active pixel sensors; image sensors; low-frequency noise; low-noise amplifiers; radiation hardening
Settore Scientifico Disciplinare:	Settore FIS/01 - Fisica Sperimentale Settore ING-INF/01 - Elettronica
Data di pubblicazione:	gen-2019
Enti collegati al convegno:	VLSI Society of India
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/VLSID.2019.00126
Tipologia:	Book Part (author)
Appare nelle tipologie:	03 - Contributo in volume

File in questo prodotto:

File	Descrizione	Tipologia	Licenza
08710972.pdf		Publisher's version/PDF		Administrator Richiedi una copia

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/2434/673325

Citazioni

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.