Design and Characterization of New Content Addressable Memory Cells

Annovi, A.; Frontini, L.; Liberali, V.; Stabile, A.

doi:10.1109/ISCAS.2018.8351682

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This paper presents a new Content Addressable Memory (CAM) cell, designed in two variants (inverting and non-inverting), and optimized for power consumption. The cells are designed in 28 nm CMOS technology, using a fully-CMOS approach. If one of the bits in a word is not matching, the corresponding cell sends a "kill" signal to the cascaded cell to inhibit further switching. Thanks to this feature, the designed CAM array requires less than 0.7 fJ/bit per comparison. A prototype containing 2(17) words of 18 bits each has been fabricated and it has proven to be functional.

Design and Characterization of New Content Addressable Memory Cells / A. Annovi, L. Frontini, V. Liberali, A. Stabile (IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON CIRCUITS AND SYSTEMS). - In: 2018 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS)[s.l] : IEEE, 2018 May. - ISBN 9781538648810. - pp. 1-5 (( convegno ISCAS tenutosi a Firenze nel 2018.

Titolo:	Design and Characterization of New Content Addressable Memory Cells
Autori:	Annovi, Alberto FRONTINI, LUCA LIBERALI, VALENTINO STABILE, ALBERTO mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Settore Scientifico Disciplinare:	Settore ING-INF/01 - Elettronica
Data di pubblicazione:	mag-2018
Enti collegati al convegno:	IEEE
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/ISCAS.2018.8351682
Tipologia:	Book Part (author)
Appare nelle tipologie:	03 - Contributo in volume

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2018-Design_and_Characterization_of_New_Content_Addressable_Memory_Cells.pdf		Publisher's version/PDF		Administrator Richiedi una copia

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http://hdl.handle.net/2434/610063

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