Electronic structure of the GaAs(001)2x4 and GaAs(110) surfaces studied by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy

Arciprete, F.; Patella, F.; Balzarotti, A.; Fanfoni, M.; Motta, N.; Sgarlata, A.; Boselli, A.; Onida, G.; Shkrebtii, A.; Del Sole, R.

doi:10.1103/PhysRevB.58.R10139

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We compare, by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy (HREELS), the electronic structure of the GaAs(110)1x1 surface and that of the GaAs(001)2x4 As-rich surface in the energy-loss region 0.5-5 eV. The HREEL spectra are interpreted in terms of realistic calculations. The spectral features above the gap are assigned to electronic transitions involving surface and/or bulk states. Losses at energies within the gap are associated to defect states at the surface. [S0163-1829(98)51236-2].

Electronic structure of the GaAs(001)2x4 and GaAs(110) surfaces studied by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy / F. Arciprete, F. Patella, A. Balzarotti, M. Fanfoni, N. Motta, A. Sgarlata, A. Boselli, G. Onida, A. Shkrebtii, R. Del Sole. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS. - ISSN 1098-0121. - 58:16(1998), pp. R10139-R10142.

Titolo:	Electronic structure of the GaAs(001)2x4 and GaAs(110) surfaces studied by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy
Autori:	F. Arciprete F. Patella A. Balzarotti M. Fanfoni N. Motta A. Sgarlata A. Boselli ONIDA, GIOVANNI A. Shkrebtii R. Del Sole mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Settore Scientifico Disciplinare:	Settore FIS/03 - Fisica della Materia
Data di pubblicazione:	1998
Rivista:	PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS
Tipologia:	Article (author)
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.58.R10139
Appare nelle tipologie:	01 - Articolo su periodico

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http://hdl.handle.net/2434/192209

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