IRIS Institutional Research Information System - AIR Archivio Istituzionale della Ricerca
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EnglishWe compare, by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy (HREELS), the electronic structure of the GaAs(110)1x1 surface and that of the GaAs(001)2x4 As-rich surface in the energy-loss region 0.5-5 eV. The HREEL spectra are interpreted in terms of realistic calculations. The spectral features above the gap are assigned to electronic transitions involving surface and/or bulk states. Losses at energies within the gap are associated to defect states at the surface. [S0163-1829(98)51236-2].
| Titolo: | Electronic structure of the GaAs(001)2x4 and GaAs(110) surfaces studied by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy |
| Autori: | |
| Settore Scientifico Disciplinare: | Settore FIS/03 - Fisica della Materia |
| Data di pubblicazione: | 1998 |
| Rivista: | |
| Tipologia: | Article (author) |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.58.R10139 |
| Appare nelle tipologie: | 01 - Articolo su periodico |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/2434/192209
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